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    報告:三星電子將在今年內(nèi)發(fā)布236層NAND閃存產(chǎn)品 本月開設新的研發(fā)中心

    2022-08-18 11:31:31來源:愛集微   

    據(jù) BusinessKorea 報道,三星電子將在今年內(nèi)發(fā)布 236 層 NAND 閃存產(chǎn)品。此外,它還計劃在本月開設一個新的研發(fā)中心,負責更先進 NAND 閃存產(chǎn)品的開發(fā)。

    當前,存儲芯片制造商正在競相增加其產(chǎn)品層數(shù)。SK 海力士最近完成了 238 層產(chǎn)品的開發(fā),美光科技宣布開發(fā)出全球首款 232 層 NAND 閃存產(chǎn)品。

    在 NAND 閃存市場,三星電子的市場份額占了 35%,為全球最高。不過,三星電子目前的層數(shù)記錄只為 176 層。韓媒指出,三星正準備將憑借其生產(chǎn)技術和價格和性能的競爭力將其增加 60 層。

    外媒透露,SK 海力士正在開發(fā)的 UFS 4.0 閃存的數(shù)據(jù)處理速度:連續(xù)讀取 4000 MB/s,連續(xù)寫入 2800 MB/s。外形規(guī)格為 11×13×0.8mm。僅從速度來看,現(xiàn)在曝光的速度可能只搭載了 V7 NAND。

    作為對比,三星在 5 月 4 日首發(fā)的 UFS 4.0 的閃存采用的是 176 層 NAND(V7),連續(xù)讀取 4200 MB/s,連續(xù)寫入 2800 MB/s,外形規(guī)格為 11×13×1mm。

    標簽: 三星電子

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