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    報告：三星電子將在今年內(nèi)發(fā)布236層NAND閃存產(chǎn)品 本月開設新的研發(fā)中心 
    
      
    
        
     2022-08-18 11:31:31來源：愛集微   
    
        
         
    
        
    
         
      
    
      
    
      
        
      		  
	 
        
     
    據(jù) BusinessKorea 報道，三星電子將在今年內(nèi)發(fā)布 236 層 NAND 閃存產(chǎn)品。此外，它還計劃在本月開設一個新的研發(fā)中心，負責更先進 NAND 閃存產(chǎn)品的開發(fā)。
    

    當前，存儲芯片制造商正在競相增加其產(chǎn)品層數(shù)。SK 海力士最近完成了 238 層產(chǎn)品的開發(fā)，美光科技宣布開發(fā)出全球首款 232 層 NAND 閃存產(chǎn)品。
    

    在 NAND 閃存市場，三星電子的市場份額占了 35%，為全球最高。不過，三星電子目前的層數(shù)記錄只為 176 層。韓媒指出，三星正準備將憑借其生產(chǎn)技術和價格和性能的競爭力將其增加 60 層。
    

    外媒透露，SK 海力士正在開發(fā)的 UFS 4.0 閃存的數(shù)據(jù)處理速度：連續(xù)讀取 4000 MB/s，連續(xù)寫入 2800 MB/s。外形規(guī)格為 11×13×0.8mm。僅從速度來看，現(xiàn)在曝光的速度可能只搭載了 V7 NAND。
    

    作為對比，三星在 5 月 4 日首發(fā)的 UFS 4.0 的閃存采用的是 176 層 NAND(V7)，連續(xù)讀取 4200 MB/s，連續(xù)寫入 2800 MB/s，外形規(guī)格為 11×13×1mm。
    
		
		
          
    
		  
		  
		  
    標簽：
															
														三星電子
														 
							
    
							
        
    
      
    
	
      
    
       
      
    
	
	

    

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