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    西部數(shù)據(jù)與鎧俠聯(lián)合開發(fā)的BiCS NAND閃存將進入第六代
    
      
    
        
     2022-05-17 09:09:28來源：快科技   
    
        
         
    
        
    
         
      
    
      
    
      
        
      		  
	 
        
     
    西部數(shù)據(jù)宣布，與鎧俠聯(lián)合開發(fā)的BiCS NAND閃存將進入第六代，堆疊層數(shù)達到162層，今年即投入量產。
    

    目前的3D NAND閃存已經紛紛堆到176層，美光日前更是宣布全球首個達到232層。
    

    但是西數(shù)指出，自家的162層閃存單元尺寸更小，只有68平方毫米，小于競品的69.6平方毫米或69.3平方毫米，因此存儲密度更高，可以提供和競品相同的單芯片容量。
    

    西數(shù)表示，BiCS6 162層堆疊下，一塊晶圓就可以做到100TB容量，而目前只有大約70TB。
    

    性能方面，西數(shù)宣稱自己擁有最好的電荷捕獲(Charge Trap)型單元，性能可達60MB/s，比對手快了一半。
    

    西數(shù)還預告了下下一代BiCS+閃存，堆疊超過200層，預計可帶來60%的傳輸速度提升、15%的編程帶寬提升、55%的晶圓容量提升，然后繼續(xù)一路堆疊，2032年左右將超過500層!
    

    另外，西數(shù)在PPT上海列出了PLC閃存，但沒有任何細節(jié)消息。
    
		
		
          
    
		  
		  
		  
    標簽：
															
														西部數(shù)據(jù)
														 
							
    
							
        
    
      
    
	
      
    
       
      
    
	
	

    

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