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    三星確認開發全新DDR5內存模塊:具有8層TSV、容量可達512GB

    2021-08-23 08:11:42來源:IT之家  

    8 月 22 日消息 在 HotChips 33 大會上,三星確認正在開發具有 8 層 TSV(直通硅通孔)的 DDR5 內存模塊,是 DDR4 內存容量的兩倍。這意味著理論上,512GB 內存模塊是可能實現的。

    通過優化封裝,三星的 DDR5 內存模塊高度將低于 DDR4 4 層內存。由于管芯之間的間隙更小(減少 40%)以及通過實施薄晶圓處理技術,高度的降低成為可能。重要的是,8 層 TSV 模塊將提供更好的散熱。

    三星預計 DDR5 內存將提供比 DDR4 提升 85% 的性能,提供高達 7.2 Gbps 的帶寬,以及高達 512GB 的雙倍容量。同時,新模塊將具有更低的 1.1V 電壓,提高電源效率。

    IT之家了解到,三星表示,預計到 2023/2024 年能夠向主流市場提供該 DDR5 內存,數據中心市場的產品將更快推出,計劃在今年年底前生產 512GB 內存模塊。

    標簽: 三星 內存

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