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    影馳DDR5內存傳來好消息 已經進入工程樣品試產階段

    2021-04-15 16:15:27來源:IT之家  

    目前影馳的 DDR5 內存已經進入了工程樣品試產階段,并將于近期露面。

    IT之家了解到,近日,影馳 DDR5 內存就傳來了消息:DDR5 DRAM 內存顆粒已經到廠,開始進入工程樣品試產階段。如上圖所示,DDR5 內存顆粒的外觀與 DDR4 沒有明顯差異,大小一致,只是編碼方式不同,另外芯片針腳設計不同,彼此互不兼容。針腳的差異意味著 DDR5 和 DDR4 在功耗、容量、頻率和 ECC 等方面有所不同。DDR5 支持 6400Mbps 的傳輸速率,比 DDR4 快 了 2 倍,且支持 ECC 糾錯,可以自行更正 1 bit 級錯誤,運行電壓為 1.1V,相比 DDR4 的 1.2V 更節能。相比 DDR4,DDR5 有著更快的速度、更大的容量、更高的穩定性以及更低的能耗,可打造單條容量 512GB、頻率 8400MHz 的超高規格。

    影馳官方介紹:

    更快的速度

    內存帶寬的提升是 DDR5 之于 DDR4 最直接的改變之一。DDR5 內存的引腳帶寬(頻率)是 DDR4 的兩倍,首發將以 4800MHz 起跳,比 DDR4 的標準頻率 3200MHz 提高了 50% 之多,未來最高甚至可以達到 8400MHz。

    更大的容量

    容量的大幅提升是 DDR5 內存最顯著的特征。單顆 DDR5 允許單個存儲芯片達到 64Gbit 的密度,這比 DDR4 的最大 16Gbit 密度提高了 4 倍,有助于提高單顆閃存的容量,進而提升內存的容量。可以預見的是,在 DDR5 時代,16GB 將會成為單條內存的普遍起步容量。

    更高的穩定性

    相比上一代標準,由于引入了多種 RAS,DDR5 在穩定性方面也會有更佳的表現。其中,曾經只有在服務器市場才有的檢驗與糾正技術 ——ECC,將會成為 DDR5 內存的標配。

    更低的能耗

    能耗方面,DDR5 的電壓可低至 1.1V,相比 DDR4 的 1.2V 降低了 0.1V,可為玩家提供更多的調整空間以便充分壓榨內存的性能。考慮到 DDR4 的實際電壓多為 1.35V,甚至一些超頻版本的內存電壓為 1.5V,DDR5 在降低能耗方面著實有著不小的進步。

    標簽: 影馳DDR5

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